新闻干货/   News
行业动态 当前位置:首页 > 新闻干货 > 行业动态

中科院与英特尔侵权诉讼反转:FinFET专利被宣告部分无效

 最后更新:2020-11-10  浏览:424次

2018年2月,中科院微电子所在北京高院起诉英特尔侵犯专利权。中科院微电子所诉称,英特尔酷睿(Core)系列处理器侵犯了其名为“半导体器件结构及其制作方法、及半导体鳍制作方法(专利号:201110240931.5)”的FinFET技术专利,要求英特尔停止侵权,赔偿至少2亿元人民币,并承担诉讼费用,同时申请法院下达禁令。

 

英特尔在2018年3月26日对该专利向专利复审委员会提出无效宣告请求,专利复审委于2019年1月31日作出无效决定:维持有效。

同时,英特尔对涉案专利的美国同族专利发起两次专利无效程序(IPR程序),但美国专利商标局均驳回其无效申请,复审和重审请求均被驳回。由于美国的IPR程序是先要初步审查的,只有初步审查认为有无效可能性才会受理无效请求,这也表明中科院微电子所的涉案专利权稳定性较高。但英特尔没有放弃对国内涉案专利发起无效程序。

 

引起业界广泛关注的中科院微电子所诉英特尔公司专利侵权案发生意外转折。11月4日,国家知识产权局就201110240931.5发明专利(下称“FinFET专利”)无效申请案下达无效宣告请求审查决定书,宣告该专利权部分无效。

最近一次在国内的专利无效申请中,英特尔提交了CN102768957A专利(下称“证据1”)作为证据,要求宣告涉案专利权利要求8、10、14无效。

 

 

国家知识产权局专利复审和无效审理部合议组经审理认为,FinFET专利“权利要求8、10、14相对于证据1不具备专利法第22条第2款规定的新颖性”,因此宣告FinFET专利的权利要求8、10、14无效。

FinFET专利权利覆盖范围非常广:“从方法角度来看,只要是先在栅极线外侧形成了侧墙之后,再切断(电学隔离)栅极线的FinFET设计,都会落入微电子所FinFET专利保护范围;从结构角度来看,微电子所FinFET专利保护范围包括在同一直线延伸的栅电极两侧具有侧墙且侧墙未将栅电极的隔离端面包围的FinFET设计。”

而据FinFET专利的权利要求书,该专利关于方法和结构最核心的权利要求分别是权利要求1和8,其中权利要求1涉及方法,而权利要求8涉及结构,其余权利要求均为权利要求1和8基础上衍生的权利要求。因此,权利要求8、10、14的被无效,对FinFET专利的杀伤力是一重大打击。值得一提的是,导致FinFET专利被部分无效的关键证据1,同样是中科院微电子所于2011年申请的专利,该专利申请时间较涉案FinFET专利早3个月。证据1专利发明人栏中的梁某和钟某同样是FinFET专利的主要发明人。

 

英特尔从2011 年 22nm 工艺三代 Core 处理器,就开始采用 FinFET 技术,随后台积电才跟进。Core 系列处理器奠定了英特尔消费类PC的霸主之路,现在FinFET 也是全球主流晶圆厂的优先之选。

业界普遍认为, FinFET 技术只能最多应用到 5 纳米工艺,然而前段时间,台积电方面表示,其 3 纳米工艺,也会采用 FinFET 技术,可见 FinFET 技术具备不小的潜力和较高的商业价值。这起专利侵权诉讼可以说波及面非常广。